【摘 要】
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本文给出用等离子化学气相沉积(PCVD)技术制备的SnO2/Fe2O3 双层薄膜结构的俄歇谱(AES)剖面分析、透射电镜(TEM)断面形貌和扫描电镜(SEM)表面形貌的实验研究结果.AES剖面分析
【机 构】
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深圳大学理学院,吉林大学电子工程学院
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本文给出用等离子化学气相沉积(PCVD)技术制备的SnO2/Fe2O3 双层薄膜结构的俄歇谱(AES)剖面分析、透射电镜(TEM)断面形貌和扫描电镜(SEM)表面形貌的实验研究结果.AES剖面分析和TEM断面形貌图显示在SnO2与Fe2O3 界面区有一个约35 nm 厚的过渡层存在,其质地松散.实验还发现这个界面过渡层的存在缓解了层间应力,增强了SnO2薄膜的附着力,对该双层膜的气敏特性有明显的控制作用;但当SnO2层厚大于270 nm 时,其控制作用几乎完全消失.
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