【摘 要】
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首次采用椭偏光谱仪检测ＨＦ缓冲溶液处理的Ｓｉ（１１１）表面在空气中的化学稳定性。研究表明：随着Ｓｉ暴露在空气中时间的增长，Ｓｉ的赝介电常数虚部ε２和Ｅ２临界点峰值随之下降，而Ｅ临界点峰值却随之上升，在ｐＨ＝５．３的
【机 构】
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复旦大学物理系李政道综合物理实验室,上海轻工业高等专科学校
【基金项目】
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浙江大学硅材料科学国家重点实验室基金
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首次采用椭偏光谱仪检测ＨＦ缓冲溶液处理的Ｓｉ（１１１）表面在空气中的化学稳定性。研究表明：随着Ｓｉ暴露在空气中时间的增长，Ｓｉ的赝介电常数虚部ε２和Ｅ２临界点峰值随之下降，而Ｅ临界点峰值却随之上升，在ｐＨ＝５．３的ＢＨＦ中腐蚀，再经去离子水漂洗后，可得到较稳定的Ｓｉ（１１１）表面，在空气中一小时之内基本不氧化。
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