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研究了一种新的外吸杂方法，它不需要在硅片加工过程中特意引入另外的外吸杂工序，而是通过控制腐蚀工艺条件，将硅片正常研磨加工中形成的损伤层保留一定的厚度，从而使硅片具有外吸杂能力。
硅单晶研磨片残留损伤吸杂的研究
【摘 要】
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研究了一种新的外吸杂方法，它不需要在硅片加工过程中特意引入另外的外吸杂工序，而是通过控制腐蚀工艺条件，将硅片正常研磨加工中形成的损伤层保留一定的厚度，从而使硅片具有外吸
【机 构】
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上海合晶硅材料有限公司
【出 处】
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上海有色金属
【发表日期】
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2010年2期
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