THE STABILITY INVESTIGATION OF FERROELECTRIC SrBi2Ta2O9 THIN FILMS ANNEALED IN FORMING GAS

来源 :金属学报:英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户:liqingxian1986
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The hysteresis loop changes of ferroelecric SrBi2 Ta2 O9 (SBT) thin films (330nm) vsthe temperature of forming gas (5%o hydrogen+95%o nitrogen) annealing were measuredwhen the annealing time was 1min and 10min. The selected annealing temperaturewas at 100
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