【摘 要】
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通过仿真优化探测器的结构参数和性能,设计了基于0.25μm标准BCD（Biplor,CMOS and DMOS）工艺的大面积多叉指状PIN光电探测器.选择已优化的大面积光电探测器用于和跨阻放大器以
【机 构】
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厦门大学物理与机电工程学院,厦门大学能源研究院,阜阳师范学院计算机与信息工程学院
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通过仿真优化探测器的结构参数和性能,设计了基于0.25μm标准BCD（Biplor,CMOS and DMOS）工艺的大面积多叉指状PIN光电探测器.选择已优化的大面积光电探测器用于和跨阻放大器以及后端放大器单片集成,采用0.25μm BCD工艺实现了一个用于650nm塑料光纤通信的单片集成光接收芯片.结果表明：多叉指状PIN光电探测器对650nm入射光的响应度提高至0.260A/W,其结电容降低至4.39pF.对于650nm的入射光,在速率250 Mb/s、误码率小于10^-9的条件下,光接收芯片的灵敏
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