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利用微机电系统（MEMS）制造工艺制备出了一种硅基红外辐射源。该辐射源采用单晶硅为衬底，通过直流溅射沉积Pt/Ti薄膜，并利用深反应离子刻蚀与湿法腐蚀工艺制备隔离槽和释放支撑层。研究了支撑层厚度对红外辐射源辐射特性的影响。结果表明，随着支撑层厚度的减小，红外辐射源的调制驱动电压会降低。当支撑层厚度为1 μm时，辐射源调制频率在50%的调制深度下达13 Hz，其频响特性已基本满足红外传感器系统的应用要求。