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用电化学方法制备了含有纳米硅点的光致发光二氧化硅膜，发现其激发谱分别在２４６ ｎｍ 及５０６ ｎｍ 附近有极大值。当激发波长在５０６ ｎｍ 附近时，观测到一个强度很弱但发射谱线宽度只有约０ ．０５ ｅＶ 的发光带，远小于２５０ ｎｍ 激发时的发射光谱的宽度（ 约０ ．５０ ｅＶ） 。此窄发光带的发光波长及峰型随激发波长的变化而变化，分析表明它起源于硅氧化合物中的纳米硅点，而短波长（２５０ ｎｍ） 光波激发时的宽发射谱主要来自于二氧化硅中的杂质与缺陷