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日立公司中央研究所已经成功地开发了控制GaAs系列半导体超微细结晶生长技术。此技术成功的关键是制成完善的机械装置，在此基础上，成功地开发晶体生长的人工控制方法。其结果，粗细为10nm超微细线结晶中形成关键的异质结构，并能够控制超微细线结晶生长位置。
控制半导体超微细结晶生长技术
【摘 要】
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日立公司中央研究所已经成功地开发了控制GaAs系列半导体超微细结晶生长技术。此技术成功的关键是制成完善的机械装置，在此基础上，成功地开发晶体生长的人工控制方法。其结果，粗
【出 处】
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光机电信息
【发表日期】
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1995年2期
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