磁控反应溅射制备的Ta2O5薄膜的光学与介电性能

来源 :第六届中国功能材料及其应用学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:cxg2009
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采用直流磁控反应溅射技术,在不同的Ar/O2比条件下制备了系列Ta2O5薄膜样品,采用紫外-可见光透射光谱和椭偏光谱测试分析技术,研究了Ta2O5薄膜在可见光范围内的透射率、折射率和消光系数;同时还采用HP 4192A阻抗分析仪测试分析了样品在500Hz~13MHz频段的介电谱,结果表明在300~700nm的可见光波长范围内,氧化钽薄膜的消光系数k→0,折射率n>2.0,透射率大约80%。500Hz下的低频介电常数ε的典型值为20.1.损耗角正切tgδ为19.9.
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