【摘 要】
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本论文利用真空镀膜方法在云母片上生长半金属Bi薄膜,测量了薄膜生长厚度与电阻之间的关系,并用原子力显微镜(AFM)研究了云母表面半金属薄膜电阻变化与薄膜粗糙度间的关系.生
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本论文利用真空镀膜方法在云母片上生长半金属Bi薄膜,测量了薄膜生长厚度与电阻之间的关系,并用原子力显微镜(AFM)研究了云母表面半金属薄膜电阻变化与薄膜粗糙度间的关系.生长初始阶段,薄膜先形成孤立的三维小岛(典型高度1 nm,直径10 nm,间距10 nm),随后互相聚结形成网状结构,薄膜不导通(R≥20 MΩ),粗糙度随膜厚增加而减小.当等效厚度d=1.74 nm时,薄膜导通(R≤13 MΩ),薄膜的形貌变为有小孔洞的连续状结构,粗糙度在此厚度附近达到最小值然后又增大.随着薄膜继续生长,连续状结构的厚度
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