硫化参数对多晶FeS2薄膜形成的作用

来源 :太阳能学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：langcy

【摘要】

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研究了硫化温度及硫化时间对合成FeS2薄膜材料的影响规律.结果表明,在400-600℃对磁控溅射制备的纯Fe膜硫化10-30h,可以得到接近等轴状且具有一定择优取向的多晶FeS2薄膜.在4

【作者】

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孟亮涂江平刘茂森

【机构】

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浙江大学材料科学与工程系

【出处】

：

太阳能学报

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

硫化 FeS2 多晶薄膜太阳能材料

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研究了硫化温度及硫化时间对合成FeS2薄膜材料的影响规律.结果表明,在400-600℃对磁控溅射制备的纯Fe膜硫化10-30h,可以得到接近等轴状且具有一定择优取向的多晶FeS2薄膜.在400℃硫化10h条件下,FeS2即能够以较快速率生成,随硫化温度升高或硫化时间延长,FeS2生成速率便不再明显上升.

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