采用局部加热法选择性制备碳纳米管和纳米金刚石晶体

来源 :纳米技术与精密工程 | 被引量 : 0次 | 上传用户:llwjm
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通过局部加热系统中的化学气相沉积法(chemical vapor deposition,CVD)实现了碳纳米管(carbon nanotube,CNT)和金刚石晶体的选择性生长加热系统只加热硅衬底而对反应过程及担载气体没有加热作用.在衬底温度为700℃时,没有生成CNT或明显的金刚石颗粒当温度升到740℃时,仍没有CNT生成,但是在模样化的铁膜上生成许多尺寸为几十纳米的金刚石颗粒温度为770℃时,在铁膜的中央部位生成许多尺寸为几十到几百纳米的金刚石颗粒,而在铁膜的边缘部位可同时观测到一些CNT的生成.当温
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