【摘 要】
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本文采用表面缺陷分析设备和原子力显微镜对不同原位刻蚀工艺下生长的4H-SiC外延晶片进行表面缺陷分析和形貌分析.通过对比检测结果得出纯氢气原位刻蚀最适合于偏4°4H-SiC外
【机 构】
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本文采用表面缺陷分析设备和原子力显微镜对不同原位刻蚀工艺下生长的4H-SiC外延晶片进行表面缺陷分析和形貌分析.通过对比检测结果得出纯氢气原位刻蚀最适合于偏4°4H-SiC外延生长.进一步优化了刻蚀温度和刻蚀时间,得到了高质量的150mm4H-SiC外延层,表面缺陷密度为0.31/cm2,折算晶片良率(3mm×3mm)为96.7%.
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