运用无杂质空位扩散法研究InGaAs/InP多量子阱结构带隙的蓝移效应

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采用光荧光谱(PL)和二次离子质谱(SIMS)的方法研究了由Si3N4和SiO2电介质膜的无杂质空位诱导(IFVD的InGaAs/InP多量子阱(MQWS)结构的带隙蓝移。实验中选用Si3N4和SiO2作为电介质膜,用以产生空位,并经过快速热退火处理。实验结果表明:带隙蓝移同退火温度和电介质膜有关,对于盖层为InP的InGaAs/InP多量子阱结构来说,好的退火温度是750℃,在此温度下Si3N4电介质膜导致的蓝移量较大。同时二次离子质谱(SIMS)的分析表明,电介质膜和快速热退火(RTA)能导致多量子阱
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