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由非化学计量比引起的晶体缺陷是影响材料电学和光学性能的主要因素之一，而掺杂是造成材料非化学计量比的一个重要因素。在未掺杂铅酸钡（BaPbO3）缺陷化学研究的基础上，采用高温平衡电导法分析了铝（Al）受主掺杂BaPbO3的缺陷补偿机理，建立了受主掺杂BaPbO3的缺陷化学模型。具体分析了受主杂质对材料高温平衡电导率、高氧分压和低氧分压下的主导缺陷转变点的影响。在高氧分压下，受主掺杂BaPbO3的缺陷行为由本征缺陷所控制，受主掺杂对平衡电导率的影响不大。随着氧分压的下降，材料由本征缺陷控制转变为非本征缺陷控制