粗SiC颗粒对再结晶碳化硅陶瓷抗热震性能的影响

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研究了粗碳化硅(SiC)颗粒的加入对再结晶碳化硅陶瓷(RSiC)抗热震性能的影响;通过不同温度下热震(水淬试验)后测试不同配方陶瓷的残余强度来评价其抗热震性能,并测试了R-SiC陶瓷在30-1200℃的平均线膨胀系数,通过SEM分析了材料的显微结构及热震损伤机制。结果表明:随着粗SiC颗粒(250pm)含量的提高,R—SiC陶瓷的密度、临界热震温差均先升后降;含有50%250μmSiC颗粒陶瓷的密度最大,为2.60g·cm^-3,线膨胀系数最小,为4.60×10^-6/℃,抗热震性能最
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