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根据Ｂｉ＿１２ＳｉＯ＿２０（ＢＳＯ）晶体生长中出现的缺陷，确定了合理的生长工艺条件，生长出优质的Ｂｉ：Ｂｉ＿１２ＳｉＯ＿２０（Ｂｉ：ＢＳＯ）晶体。测试了晶体的指教增益系数、衍射效率、相位共轭反射率和响应时间等光折变性能。研究表明，Ｂｉ：ＢＳＯ晶体的光折变性能优于纯ＢＳＯ晶体。
Bi：Bi12SiO20晶体的光折变效应研究
【摘 要】
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根据Ｂｉ＿１２ＳｉＯ＿２０（ＢＳＯ）晶体生长中出现的缺陷，确定了合理的生长工艺条件，生长出优质的Ｂｉ：Ｂｉ＿１２ＳｉＯ＿２０（Ｂｉ：ＢＳＯ）晶体。测试了晶体的指教增益系数、衍射效率、相位共轭反射率和响应时间等光折变性能。研究表明，Ｂｉ：ＢＳＯ晶体的光折变
【机 构】
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哈尔滨工业大学应用化学系,西安电子科技大学技术物理系
【出 处】
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人工晶体学报
【发表日期】
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1994年2期
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