【摘 要】
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对分子束外延（MBE）法在BaF2衬底上生长的N型Pb0.88Sn0.12Te/Pb Te多量子阱材料进行了变温（16～300K）弱场霍尔效应测量。通过分析霍尔系数判断Pb0.88Sn0.12Te/PbTe量子阱能带类型为
【机 构】
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中国科学院长春物理研究所,吉林大学电子科学系
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对分子束外延（MBE）法在BaF2衬底上生长的N型Pb0.88Sn0.12Te/Pb Te多量子阱材料进行了变温（16～300K）弱场霍尔效应测量。通过分析霍尔系数判断Pb0.88Sn0.12Te/PbTe量子阱能带类型为Ⅰ型。由费密能级的位置估算PbTe导带边高于Pb0.88Sn0.12Te<111>方向能谷导带边约36meV。更多还原
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