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研究了脉冲中子辐射的中子嬗变掺杂（NTD）硅二极管中缺陷的形成及其退火特征，并与热中子辐照样品进行了比较，深能级瞬态谱仪（DLTS）测量表明硅中主要存在五类电活性缺陷：氧空位E1（Ec-0.19eV)，不同民态的双空位E2（3c-0.2eV)和E4（Ec-0.40eV)，双空位与氧杂质相结合的络合物E3（Ec-0.31eV)，以及与样品材料原生缺陷有关的辐照 感生缺陷E5(Ec-0.48eV) ,实验结果表明，脉冲中子辐射由于其主贩中子能量和辐照剂量率，导致复杂络合物的浓度高于简单缺陷浓度，进一步400℃