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文章采用真空磁过滤电弧离子镀法在单晶Si（100）基片上成功制备了氮化铝（AlN）薄膜,并利用椭偏法对AlN膜进行了研究。根据沉积方法的特点,建立合适的膜系进行拟合,得到薄膜的折射率、消光系数和几何厚度;分析薄膜与基片之间的附着方式为简单附着,以及引起薄膜材料比块体材料折射率偏小的原因为：薄膜中含有空隙,Al/N不符合化学剂量比,薄膜表面形成了Al2O3钝化层。