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以HfO2的形式将Hf元素掺杂到BNBT陶瓷中,采用固相烧结法制备(Bi0.5Na0.5)0.94 Ba0.06Ti1−0.01xHf0.01xO3(100BNBT-xHf,x=0~2.0,摩尔分数)无铅陶瓷,系统研究Hf掺杂对100BNBT-xHf陶瓷晶体结构、显微结构和电学性能的影响。结果表明,所有100BNBT-xHf陶瓷均处于准同型相界区,为纯钙钛矿结构。添加少量HfO2可有效地促进100BNBT-xHf陶瓷的晶粒长大,100BNBT-1.0Hf的平均晶粒尺寸达到2.30μm。从室温环境下测量的电