论文部分内容阅读
根据PDP显示系统的要求，设计出一块适合PDP显示的寻址驱动芯片，同时在分析高压VDMOS管和高压PMOS管结构特点的基础上，提出了实现PDP寻址驱动芯片的高压工艺流程及其基本参数。最后采用2．0μm的BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工艺对芯片进行流片并对流出的芯片进行了测试分析，结果证明所设计的高压器件能满足PDP显示的实际要求。