【摘 要】
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从器件结构、工艺条件等方面,对影响SiGe HBT高频特性的因素进行对比分析,并在此基础上,对提高SiGe HBT频率特性的方法进行了总结归纳.渡越时间受温度改变影响,SiGeHBT的高频
【机 构】
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西安理工大学电子工程系,西安,710048
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从器件结构、工艺条件等方面,对影响SiGe HBT高频特性的因素进行对比分析,并在此基础上,对提高SiGe HBT频率特性的方法进行了总结归纳.渡越时间受温度改变影响,SiGeHBT的高频性能在低温下提高.多种形状的基区Ge分布影响基区渡越时间,对提高频率起关键作用.降低工艺温度能有效减小杂质扩散,优化频率.采用新结构以减小发射极电阻,或增加工艺隔离步骤以抑制寄生参数,均可提高频率.
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