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研究了液态硅参与下的反应烧结碳化硅的工艺参数，显微组织对其电阻率的影响。随着烧结气氛压力和成型压力增加，反应烧结碳化硅中游离硅量减少，电阻率增加。其烧结机理以碳的溶解及碳化硅的淀析过程为主。
反应烧结碳化硅的显微组织及其导电性的研究
【摘 要】
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研究了液态硅参与下的反应烧结碳化硅的工艺参数，显微组织对其电阻率的影响。随着烧结气氛压力和成型压力增加，反应烧结碳化硅中游离硅量减少，电阻率增加。其烧结机理以碳的溶解
【机 构】
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西安理工大学,西安交通大学材料科学与工程学院
【出 处】
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硅酸盐通报
【发表日期】
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1999年5期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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