【摘 要】
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以钠钙玻璃为衬底,利用两靶磁控溅射的方法,选择不同的叠层方式制备铜铟镓前驱膜.然后将前驱膜放入特制的真空炉中选择不同的升温方式进行硒化退火,得到四元化合物铜铟镓硒半
【机 构】
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广东工业大学材料与能源学院 广州510090华南理工大学电子与信息学院 广州510641;广东工业大学材料与能源学院 广州510090;华南理工大学电子与信息学院 广州510641;
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以钠钙玻璃为衬底,利用两靶磁控溅射的方法,选择不同的叠层方式制备铜铟镓前驱膜.然后将前驱膜放入特制的真空炉中选择不同的升温方式进行硒化退火,得到四元化合物铜铟镓硒半导体纳米薄膜,对薄膜进行各项表征.分析了前驱膜叠层及硒化升温方式对铜铟镓硒(CIGS)薄膜性能的影响,证明In/CuGa/In多层前驱膜先在250℃恒温20min加热,再升温至560℃硒化温度30min,能制备出较高质量黄铜矿结构的多晶薄膜,适合做CIGS太阳能电池吸收层材料.
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