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以铋、钆的硝酸盐等制备前驱溶胶体系，用CSD法在SrTiO3（100）基底上制备出c轴织构良好的可作为涂层导体缓冲层的GdBiO3（GBO）薄膜。首先利用差热分析的结果对GBO薄膜分解过程的吸、放热情况进行了研究，确定了较为适当的有机物分解工艺。在此基础上研究了不同外延成相热处理温度对GBO薄膜生长的影响，并对较高温度处理后样品产生裂纹的原因进行了初步分析。GBO薄膜的相组成和微结构利用XRD和SEM进行分析。研究结果表明，在Ar气氛中适宜于GBO薄膜生长的最佳温度在770℃度附近，在此条件下可以制备出表