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从上世纪90年代初开始,基于硅平面工艺的IGBT开始在工业领域应用。随着工艺技术的发展,硅基IGBT提高了开关速度,降低了功耗,从而进一步提高了性能。然而,IGBT作为一种双极型器件,具有相对低的开关速度及较高的开关损耗。为进一步使用好IGBT模块,许多公司研发出与之性能相匹配的快恢复功率