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从上世纪90年代初开始，基于硅平面工艺的IGBT开始在工业领域应用。随着工艺技术的发展，硅基IGBT提高了开关速度，降低了功耗，从而进一步提高了性能。然而，IGBT作为一种双极型器件，具有相对低的开关速度及较高的开关损耗。为进一步使用好IGBT模块，许多公司研发出与之性能相匹配的快恢复功率
用于电动机驱动的SiC逆变器模块
【摘 要】
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从上世纪90年代初开始，基于硅平面工艺的IGBT开始在工业领域应用。随着工艺技术的发展，硅基IGBT提高了开关速度，降低了功耗，从而进一步提高了性能。然而，IGBT作为一种双极型器件，具
【机 构】
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北京交通大学电气工程学院
【出 处】
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电力电子
【发表日期】
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2004年4期
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