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本文综述了在化学气相沉积（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ，ＣＶＤ）金刚石薄膜过程中非金刚石衬底表面金刚石成核机理研究进展。主要讨论了衬底表面缺陷诱导金刚石成核模型，指出最大原子团的存在决定了金刚石成核是否能够在衬底表面发生；分析了金刚石在非金刚石衬底成核时的过渡层问题，提出了过渡层存在机理；对于在等离子体ＣＶＤ中的偏压增强金刚石成核效应，提出的负偏压离子流增强成核模型和正偏压电