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利用磁控溅射法在玻璃基片上依次沉积Sn/Cu叠层前驱体并将前驱体在H2S∶N2气氛中硫化制备Cu2SnS3薄膜。分利用X射线衍射仪、拉曼光谱仪、扫描隧道显微镜、紫外−可见−近红外分光光度计、Hall测量系统等表征手段对薄膜进行性能表征。研究了硫化温度对Cu2SnS3薄膜性能的影响,结果表明,硫化温度为460℃时,制备出结晶性能好的P型Cu2SnS3半导体薄膜,此薄膜具有合适的载流子浓度~1017/cm^3、较高的载流子迁移率4.40 cm^2/(v·s)、较低的电阻率4.34Ω·cm。