混合式红外成象器

来源 :红外与激光技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wangtantan121212
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这个红外成象器件是由一个InSb光电探测阵列和一个Si场效应晶体管(FET)开关阵列所组成。在Si薄片的上部,InSb形成一层薄片,每个InSb探测元和一个相应于Si开关元件下面的铟柱相连。如同128×128元阵列的FET开关一样,依次读出128×128元阵列光电探测 This infrared imaging device consists of an InSb photodetector array and a Si field effect transistor (FET) switch array. In the upper portion of the Si wafer, a thin layer of InSb is formed. Each InSb probe is connected to an indium column below the Si switching device. Like the 128 × 128 array FET switch, read 128 × 128 array of photoelectric detection
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