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通过对CMOS 4000、54HC系列门电路进行不同偏置条件下的电离辐照实验，比较了电离辐照环境中CMOS 4000和54HC系列电路的总剂量辐照响应特性，对其响应差异进行了较深入的机理研究，并探讨了54HC电路的抗辐射能力测试方法和评判标准。
CMOS4000及54HC器件的总剂量辐照响应特性比较
【摘 要】
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通过对CMOS 4000、54HC系列门电路进行不同偏置条件下的电离辐照实验，比较了电离辐照环境中CMOS 4000和54HC系列电路的总剂量辐照响应特性，对其响应差异进行了较深入的机理研
【机 构】
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新疆理化技术研究所,中国科学院研究生院,新疆大学物理学院
【出 处】
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核技术
【发表日期】
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2008年5期
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