检测设备对空白晶圆在130 nm及之后技术的质量认证

来源 :电子工业专用设备 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jinzhan2090

【摘要】

：

在微电子生产进入深亚微米和纳米技术之后,空白硅晶圆材料正在承担起前所未有的角色来协助解决生产工艺和产品成本等关键问题.根据国际半导体技术路线图(ITRS)对空白晶圆关键

【作者】

：

XIA Yong

【出处】

：

电子工业专用设备

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

检测设备硅片材料表面局部平整度表面COP缺陷精密/公差比率 Metrology Silicon wafers Site flatness Nanoto

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在微电子生产进入深亚微米和纳米技术之后,空白硅晶圆材料正在承担起前所未有的角色来协助解决生产工艺和产品成本等关键问题.根据国际半导体技术路线图(ITRS)对空白晶圆关键物理参数的要求,探讨有关检测设备在提供晶圆表面局部平整度,nanotopography和表面COP缺陷等质量参数认证时所应具备的技术和能力.

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