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采用梯形栅结构和难熔金属钼栅工艺，研制出了高性能，低电压工作，适用于移动通信的甚高频功率VDMOS场效应晶体管．该器件在175MHz、12V低电压工作条件下,输出功率为12W，漏极效率为70%，功率增益为12dB．
低压应用的高性能甚高频功率VDMOSFETs
【摘 要】
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采用梯形栅结构和难熔金属钼栅工艺，研制出了高性能，低电压工作，适用于移动通信的甚高频功率VDMOS场效应晶体管．该器件在175MHz、12V低电压工作条件下,输出功率为12W，漏极效率为70
【机 构】
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兰州大学物理系河北半导体研究所;河北半导体研究所,;兰州大学物理系,;
【出 处】
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城市道桥与防洪
【发表日期】
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2004年期
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