论文部分内容阅读
使用半导体器件数值分析工具DESSISE－ISE，对侧向的P^+P^-N^+栅控二极管的正向R－G电流对SOI体陷阱特征和硅膜结构的依赖性进行了详尽的研究。通过系统地改变硅膜体陷阱的密度和能级分布，得出了相应的P^+P^-N^+栅控二极管的正向R－G电流的变化。同时，表征硅膜结构的参数如沟道掺杂和硅膜厚度的变化也使器件从部分耗尽向全耗尽方向转化，分析了这种转化对R－G电流大小和分布的影响。