4GHz120°K低噪声FET放大器

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:dh5601
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近几年来,随着国内低噪声GaAs MESFET研制工作不断取得新的结果,FET低噪声放大器的研究工作也取得了较大进展.其中,放大器的主要性能指标噪声系数,在S、C、X波段都得到了较好的结果.以卫星通讯频段3.7~4.2GHz为例,南京固体器件研究所在80年 In recent years, with the development of new low-noise GaAs MESFETs in China, new progress has been made in the research work of FET low-noise amplifier, in which the main performance index of the amplifier noise figure, in the S, C, X band Have been better results to the satellite communications band 3.7 ~ 4.2GHz, for example, Nanjing Institute of solid-state devices in 80 years
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