UHV／CVD生长锗硅材料的偏析现象

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【摘要】

：

本文对利用超高真空CVD方法生长的Si1-xGex合金外延层中的锗表面分布情况和Ge在界面偏析现象进行了深入的研究.通过XPS和SIMS图谱的研究,指出表面由于锗的偏析,造成锗在体内

【作者】

：

吴贵斌崔继锋黄靖云叶志镇

【机构】

：

浙江大学硅材料国家重点实验室

【出处】

：

材料科学与工程学报

【发表日期】

：

2004年2期

【关键词】

：

超高真空化学气相沉积法锗硅合金偏析现象二次离子质谱仪 X射线光电子谱 Si1-xGex segregation depletion UHV/CVD

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本文对利用超高真空CVD方法生长的Si1-xGex合金外延层中的锗表面分布情况和Ge在界面偏析现象进行了深入的研究.通过XPS和SIMS图谱的研究,指出表面由于锗的偏析,造成锗在体内和表面的含量不同,在低温时生长锗硅合金,表面氢原子的吸附可有效地抑制锗的偏析,但随着温度的升高,氢的脱附造成锗的偏析现象更加明显.

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