【摘 要】
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运用椭偏技术和分数维空间方法,对Si-SiO2模型考察了表面氧化层的存在对从实验测得的光谱中确定Si临界点跃迁参数的影响.计算结果表明,表面氧化层效应使Si的介电谱发生畸变,
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运用椭偏技术和分数维空间方法,对Si-SiO2模型考察了表面氧化层的存在对从实验测得的光谱中确定Si临界点跃迁参数的影响.计算结果表明,表面氧化层效应使Si的介电谱发生畸变,由此得到的临界点跃迁参数较真值会有一个偏移:振幅与维度值较小,寿命线宽较大,并且这种影响随氧化层厚度的增加而加强.但禁带能受表面氧化层效应的影响却很小,可忽略不计.
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