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用超高真空化学气相沉积方法，在Si(100)衬底上生长掺C高达2.2%的Si1-x-yGexCy合金薄膜，外延层质量良好。用高分辨透射电子显微镜，X射线衍射，傅立叶红外吸收光谱以及拉曼光谱对外延层进行了检测。结果表明：替代位C的加入，明显缓解了宏观上的应变，但在合金中仍存在着微观应变。
UHV／CVD外延生长锗硅碳三元合金的应变研究
【摘 要】
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用超高真空化学气相沉积方法，在Si(100)衬底上生长掺C高达2.2%的Si1-x-yGexCy合金薄膜，外延层质量良好。用高分辨透射电子显微镜，X射线衍射，傅立叶红外吸收光谱以及拉曼光谱对外
【机 构】
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浙江大学硅材料国家重点实验室
【出 处】
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真空科学与技术
【发表日期】
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2001年3期
【基金项目】
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国家自然科学基金，国家自然科学基金
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