【摘 要】
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采用电子束蒸发在硅衬底上制备TiO2薄膜,并在氧气氛下进行退火处理。分别使用X射线衍射仪和椭圆偏振仪分析退火前后以及不同退火温度下薄膜样品的结构、成分和折射率,研究氧
【机 构】
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四川大学辐射物理与技术国家教育部重点实验室,中国科学院国际材料中心,
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采用电子束蒸发在硅衬底上制备TiO2薄膜,并在氧气氛下进行退火处理。分别使用X射线衍射仪和椭圆偏振仪分析退火前后以及不同退火温度下薄膜样品的结构、成分和折射率,研究氧气氛下进行退火对薄膜结构、成分和折射率的影响。结果表明:氧气氛下退火能够有效地改善薄膜缺氧的问题,提高TiO2薄膜的质量。
A TiO2 film was prepared on a silicon substrate by electron beam evaporation and annealed in an oxygen atmosphere. The structure, composition and refractive index of the samples before and after annealing and annealing at different annealing temperatures were analyzed by X-ray diffraction and ellipsometry respectively. The effects of annealing on the structure, composition and refractive index of the films were investigated. The results show that annealing in oxygen atmosphere can effectively improve the film oxygen deficiencies and improve the quality of TiO2 films.
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