【摘 要】
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目的通过掺杂不同含量的Sn,提升SixSb100-x相变薄膜的结晶温度、热稳定性和相转变速度,得到一种环境友好型无Te相变薄膜材料。方法利用三靶磁控共溅射的方式制备掺Sn的SixSb100-x相变薄膜,并采用真空四探针测试系统,得到电阻-温度数据以及不同升温速率下的电阻数据,从而通过Kissinger和Arrhenius公式计算出结晶激活能和十年数据保持力。分别使用EDS、XRD、AFM对相变薄膜的成分、结构、表面形貌
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目的通过掺杂不同含量的Sn,提升SixSb100-x相变薄膜的结晶温度、热稳定性和相转变速度,得到一种环境友好型无Te相变薄膜材料。方法利用三靶磁控共溅射的方式制备掺Sn的SixSb100-x相变薄膜,并采用真空四探针测试系统,得到电阻-温度数据以及不同升温速率下的电阻数据,从而通过Kissinger和Arrhenius公式计算出结晶激活能和十年数据保持力。分别使用EDS、XRD、AFM对相变薄膜的成分、结构、表面形貌
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目的通过基于碳化硅陶瓷靶的直接溅射和基于硅靶与甲烷的反应溅射,在Si(100)基底上沉积碳化硅薄膜,对比两种工艺制备碳化硅薄膜的异同。方法采用直接磁控溅射与反应磁控溅射工艺制备碳化硅薄膜,通过白光干涉仪、轮廓仪、X光电子能谱仪(XPS)分析薄膜粗糙度、厚度、沉积速率、组分,通过X射线衍射仪和扫描电子显微镜分析薄膜的物相结构和形貌。结果基于硅靶和甲烷的反应溅射工艺,甲烷流量百分比为20%~70%时,沉积速率从11.3 nm/min升高到36.5 nm/min。甲烷流量百分比为20%~60%时,表面粗糙度Rq