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在两体近似碰撞模型基础上,采用SRIM程序对自注入硅离子及其造成的损伤在样品的分布进行了研究,模拟了Si＋自注入Si晶体的Si＋深度分布几率和注入时的能量传递。计算结果表明：在相同注入能量的情况下,注入Si＋的分布概率是恒定的,在注入过程中电离能是阻止Si＋进一步深入的主导因素。论文还初步讨论了注入剂量和退火温度对发光强度的影响,以及W缺陷的可能形成原因。