pnp高频高反压沟道基区全温晶体管设计与制造

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:dulizhi123
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耗尽基区晶体管也称为双极静电感应晶体管(BSIT),其电流放大系数hFE具有负的温度系数。双极结型晶体管(BJT)的hFE具有正温度系数,将BSIJ与BJT并联,采用BJT常规工艺制造了pnp高频高反压沟道基区全温晶体管。 本文描述了这一器件的结构,工作原理,设计与制造。该器件的特点是:当温度T变化时,hFE漂移较小。 测试结果表明,环境温度从25°升到180℃时,器件的hFE随温度T变化率小于35%,优于同类型的常规双极结型晶体管,平均改善20%。当温室从25°降到-55℃时,器件的
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