集成电路微电子电位的精密光测方法

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【摘要】

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<正> 半导体在电场中具有吸收光谱的性能,其吸收光谱带的边界朝着光子能级较低的方向移动(弗朗兹—凯尔蒂西效应)。利用这个原理,借助于激光探测器等,就可精确测量出集成电路

【作者】

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周洪武

【出处】

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中外技术情报

【发表日期】

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1995年11期

【关键词】

：

集成电路电位光测法微电子元件

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<正> 半导体在电场中具有吸收光谱的性能,其吸收光谱带的边界朝着光子能级较低的方向移动(弗朗兹—凯尔蒂西效应)。利用这个原理,借助于激光探测器等,就可精确测量出集成电路微电子元件中各信号的电位。虽然单色光的光子能级E_(Ph)小于或约等于半导体禁带宽度E_B,仅在初始电场强度高达10kV/cm时单色光的衰减才比较

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