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Reactive ion etching of Si2Sb2Te5 in CF4/Ar plasma for a nonvolatile phase-change memory device
Reactive ion etching of Si2Sb2Te5 in CF4/Ar plasma for a nonvolatile phase-change memory device
来源 :城市道桥与防洪 | 被引量 : 0次 | 上传用户:gbcying
【摘 要】
:
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥
【作 者】
:
Li Juntao
Liu Bo
Song Zhitang
Yao Dongning
Feng Gaoming
He Aodong
Peng Cheng
【机 构】
:
State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and
【出 处】
:
城市道桥与防洪
【发表日期】
:
2013年5期
【关键词】
:
reactive ion etching
phase-change material
Si2Sb2Te5
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该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥主桥连续预应力混凝土变截面箱梁2#~7#块、8#、8
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