【摘 要】
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氮化硅陶瓷性能优异，然而由于其共价键较强，自扩散系数低，烧结难度较大。目前高性能氮化硅陶瓷主要通过高温气压烧结来制备，烧结温度在1 800 ℃以上，对设备要求较高，制备成本也较高，限制了氮化硅陶瓷的实际应用。低温烧结作为降低氮化硅生产成本的有效途径之一，引起了学者广泛关注。目前国内外关于氮化硅陶瓷低温烧结的研究主要集中在烧结助剂的选择方面，烧结助剂的选择可以分为以下两类：使用同SiO2共晶温度较低
【基金项目】
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国家重点研发计划（2022YFB3706300）； 国家自然科学基金（52102082）； 上海市青年科技启明星计划（21YF1454500）；
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氮化硅陶瓷性能优异，然而由于其共价键较强，自扩散系数低，烧结难度较大。目前高性能氮化硅陶瓷主要通过高温气压烧结来制备，烧结温度在1 800 ℃以上，对设备要求较高，制备成本也较高，限制了氮化硅陶瓷的实际应用。低温烧结作为降低氮化硅生产成本的有效途径之一，引起了学者广泛关注。目前国内外关于氮化硅陶瓷低温烧结的研究主要集中在烧结助剂的选择方面，烧结助剂的选择可以分为以下两类：使用同SiO2共晶温度较低的烧结助剂和使用多组分烧结助剂。对这两类低温烧结助剂的研究进展进行了综述，并提出了低温烧结助剂选择的合理方案。综合来看，要在低温下制得性能良好的氮化硅陶瓷，需选用同二氧化硅具有低共晶点的烧结助剂，并配合使用多元组分调控氮化硅陶瓷的微观结构和性能。
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