外腔型YVO<sub>4</<sub>拉曼激光器

来源 :光学 精密工程 | 被引量 : 0次 | 上传用户:X2000N
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为了实现新波长、高效率的激光输出,建立了外腔型拉曼实验装置并对YVO4晶体进行了测量。采用提拉法生长了最大尺寸为28 mm×40 mm,质量为126 g的高光学质量YVO4晶体,以脉冲宽度为40 ps的Nd:YAG锁模激光器作为激发源,研究了YVO4晶体的外腔拉曼输出特性。结果显示,该激光器多波长输出的总转换效率达到51.4%,最大输出能量为2.21 mJ;1 175 nm一级斯托克斯拉曼输出的最高转换效率为32%,最大输出能量为0.57 mJ;1 313 nm二级斯托克斯拉曼输出的最高转换效率为12.3%,最大输出能量为0.36 mJ。结果表明,采用外腔型结构可使YVO4晶体的拉曼输出性能显著提高。
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实验采用60 ns、1064 nm单脉冲激光辐照前照式有源型可见光CMOS探测器,随着损伤程度的加深,分别观察到点损伤、半边黑线损伤以及十字交叉黑线损伤等硬损伤现象。各损伤现象出现时对应的探测器表面激光能量密度分别为0.38、0.64、1.0 J/cm2。进一步提高激光能量密度,观察到十字交叉黑线变粗,覆盖面积扩大。即使激光能量密度达到2.8 J/cm2,此时黑线已经覆盖绝大部分探测器像元,但探测器仍然没有完全失效,未损伤区域还可以成像。基于CMOS样品的结构和工作原理,对损伤机理进行了理论分析,认为点损
利用计算全息,提出了一种新的彩色全息图制作技术。给出了设计原理,实现了真彩色计算全息图的光学再现,对实验结果和相关问题进行了讨论。基于Matlab实现了这一种新的制作真彩色计算全息图的技术。得以下结果: 利用傅里叶变换平移不变性,可以解决三基色再现像的复位问题;利用真彩色计算全息图进行滤波再现,可提高再现像的质量; 利用傅里叶变换(FT)平移不变性,平行拼接多幅计算全息图,可有效地提高再现像强度;实现全息图简单快捷,成本低。并且还可以方便地调节各种参数,提高全息图的品质。
实验研究了晶相对下转换的影响。Tb3 -Er3 耦合对将一个紫外光子(Tb3 的7F6→5L1)294 nm 剪裁成800 nm (Er3 的4I9/2→4I15/2) 和467 nm (Tb3 的5D4→7F6) 两个都能被GaAs 太阳能电池吸收的低能光子。采用水热法制备了NaYF4六角相微晶和立方相纳米晶粒子, 六角相由于具有热力学稳定性和有序的排列结构而更有利于量子剪裁过程的发生, 相反在立方相结构中没有发现量子剪裁现象。分别采用294 nm 和355 nm波长的光对六角相NaYF4进行
本文通过共沉淀法, 以草酸为沉淀剂, Ca2+、Y3+共掺杂 CeO2来降低其高温下红外发射率, 并且 Ce0.8Y0.15Ca0.05O2-δ粉体发射率最低, 最小值为 0.271。再用两种不同沉淀剂 KOH及 NH4HCO3分别合成 Ce0.8Y0.15Ca0.05O2-δ粉体, 所得结果可知, KOH为沉淀剂所合成的 Ce0.8Y0.15Ca0.05O2-δ粉体发射率最低, 最低值为 0.223。通过γ射线辐照处理 Ce0.8Y0.15Ca0.05O2-δ粉体, 可使其最低发射率由 0.271降至
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近年来, 金属卤化物钙钛矿以其光吸收系数高、色纯度高、色域广、发光波长连续可调、光致发光量子产率高、载流子扩散长度大和成分稳定不易分解等优点, 成为光电子应用领域极具潜力的新材料, 其在太阳能电池、发光二极管、忆阻器、激光器、光电探测器和防伪标签等方面均有出色的表现, 并且可通过简单的全溶液法制备, 为印刷工艺的结合、大尺寸生产和产业化提供了可能。实验采用一步溶液法制备了原位生长的溴化铅铯钙钛矿薄膜, 其在(100)晶面有择优取向, 且相应的晶面间距小于PDF标准卡片值。通过增大前驱液的浓度, 使样品的形
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采用后硒化Cu-Zn-Sn-S电沉积预制层的方法制备了铜锌锡硫硒薄膜,其中Cu-Zn-Sn-S预制层是通过含有不同浓度的硫代硫酸钠电解液电沉积而成的.实验发现,硒化前后薄膜的性质与硫代硫酸钠浓度密切相关.SEM,EDS,XRD,Raman和透射光谱分析表明,当硫代硫酸钠的浓度为5 mM时,沉积的薄膜形貌平整,晶粒明显,组分贫锌,具有单一的铜锌锡硫硒结构,且其带隙为1.11 eV; 在浓度高于5 mM下沉积的薄膜形貌粗糙并产生杂相硒化锡; 在浓度低于5 mM下沉积的薄膜组分严重贫锌并生成大量的Cu2SnSe