24~38GHz GaAs单片低噪声放大器的研制

来源 :中国电子科学研究院学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yuhuipin1
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介绍了24~38GHz低噪声放大器MMIC的研制。分析了微波晶体管放大器的噪声特性,针对噪声系数和增益,利用软件进行电路仿真优化和电磁场分析,设计制作电路版图,在标准3 in GaAs工艺线进行工艺制作。采用电子束制作0.20μm“T”形栅,利用选择腐蚀的方法准确控制有源器件的Idss和Vp,微波测试结果为在频带内的噪声系数小于3.8dB,小信号增益大于13dB,增益平坦度小于±0.6dB,输入和输出驻波比小于2:1.微波性能与NORTHROP GRUMMAN公司的同类产品ALH140C的水平相
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