一种分段温度补偿BiCMOS带隙基准源

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设计了一种针对基准电压输出非线性的分段温度补偿电压基准源。该电路在基准源工作的低温和高温阶段对输出进行温度补偿,实现低温度系数。利用高增益的两级运算放大器以及增加PMOS管的栅长来提高电路的电源抑制比(PSRR)。在-55℃~125℃范围内,温度系数为2.9×10-6/℃,低频电源抑制比为-71dB。 A non-linearity-based temperature compensation voltage reference is designed for the reference voltage output. The circuit in the reference source of low temperature and high temperature phase of the output temperature compensation, to achieve low temperature coefficient. The use of high-gain two-stage operational amplifier and increase the gate length PMOS tube to improve the circuit’s power supply rejection ratio (PSRR). In the -55 ℃ ~ 125 ℃ range, the temperature coefficient of 2.9 × 10-6 / ℃, low-frequency power supply rejection ratio of -71dB.
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