【摘 要】
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碳化硅横向双扩散金属-氧化物-半导体晶体管(Silicon Carbide laterally diffused Metal-Oxide-Semi- conductor Field Effect Transistor, SiC LDMOSFET)在高压集成电路中有
【机 构】
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中国科学院微电子研究所,北方工业大学,国网智能电网研究院
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碳化硅横向双扩散金属-氧化物-半导体晶体管(Silicon Carbide laterally diffused Metal-Oxide-Semi- conductor Field Effect Transistor, SiC LDMOSFET)在高压集成电路中有着越来越广泛的应用前景。目前为止,依旧存在着限制SiC LDMOSFET器件进一步发展的瓶颈,欧姆接触便是其中之一。对于p型碳化硅,金属铝被认为是有利于形成欧姆接触的材料,但厚度较厚。研究表明,钛的加入能减小接触电阻,提高热稳定性。主要研究了一种
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