论文部分内容阅读
研究了在Si基GaN外延材料上实现低温欧姆接触的技术途径。研究了外延层的刻蚀深度、合金温度以及不同金属体系对接触特性的影响，发现外延层刻蚀深度的优化可显著改善欧姆接触特性。采用Ti／AI（10／200nm）金属，在外延层刻蚀深度为20nm以及合金温度550℃时，得到接近传统高温合金条件下的接触电阻，最小值达到0·76Ω·mm，同时实现的欧姆接触电极具有良好的形貌。该技术有望应用于高频、高功率GaNHEMT的工艺。